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半导体检测高低温冲击试验箱

发布时间:2022-04-13

访问次数:49

简要描述:

半导体检测高低温冲击试验箱采用整体式组合结构形式,既试验箱由位于上部的高温试验箱,位于下部的低温试验箱体、位于后部的制冷机组柜和位于左侧后板上的电器控制柜(系统)所组成。此方式箱体占地面积小、结构紧凑、外形美观,制冷机组置于独立的机组箱体内,以减少制冷机组运行时的震动、噪声对试验箱的影响,同时便于机组的安装和,电器控制面板置于试验箱的左侧板上以便于运行操作。。

详细介绍

半导体检测高低温冲击试验箱采用整体式组合结构形式,既试验箱由位于上部的高温试验箱,位于下部的低温试验箱体、位于后部的制冷机组柜和位于左侧后板上的电器控制柜(系统)所组成。此方式箱体占地面积小、结构紧凑、外形美观,制冷机组置于独立的机组箱体内,以减少制冷机组运行时的震动、噪声对试验箱的影响,同时便于机组的安装和,电器控制面板置于试验箱的左侧板上以便于运行操作。


半导体检测高低温冲击试验箱主要技术指标:

技术参数


1. 温度范围:-20℃~200℃(A)、-40℃~200℃(B)、-60℃~200℃(C);


2. 样品吊篮:(WDCJ-100)350×350×380、(WDCJ-300)520 ×520×580;


3. 吊篮承重:(WDCJ-100)15Kg、(WDCJ-300)18Kg;


4. 试验区:①温度波动度±0.5℃(温度恒定后),②温度偏差≤3℃;


5. 高低温区:温度波动度≤±2.0℃;


6. 升温速率:1.0~3.0℃/min;


7. 降温速度:0.7~1.0℃/min;


8. 温度转换时间:≤15s(样品从高温区到低温区或从低温区到高温区);


9. 温度恢复时间:≤15min


10. 电源电压:AC380±10%V  50Hz



 


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