半导体检测高低温冲击试验箱采用整体式组合结构形式，既试验箱由位于上部的高温试验箱，位于下部的低温试验箱体、位于后部的制冷机组柜和位于左侧后板上的电器控制柜（系统）所组成。此方式箱体占地面积小、结构紧凑、外形美观，制冷机组置于独立的机组箱体内，以减少制冷机组运行时的震动、噪声对试验箱的影响，同时便于机组的安装和，电器控制面板置于试验箱的左侧板上以便于运行操作。

技术参数

1. 温度范围：-20℃～200℃（A）、-40℃～200℃(B)、-60℃～200℃(C)；

2. 样品吊篮：（WDCJ-100）350×350×380、（WDCJ-300）520 ×520×580；

3. 吊篮承重：（WDCJ-100）15Kg、（WDCJ-300）18Kg；

4. 试验区：①温度波动度±0.5℃（温度恒定后），②温度偏差≤3℃；

5. 高低温区：温度波动度≤±2.0℃；

6. 升温速率：1.0～3.0℃/min；

7. 降温速度：0.7～1.0℃/min；

8. 温度转换时间：≤15s（样品从高温区到低温区或从低温区到高温区）；

9. 温度恢复时间：≤15min

10. 电源电压：AC380±10%V  50Hz